消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

三星电子正在开发针对人工智能负载优化的 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存产品，分别针对吞吐量和随机性能进行优化。其中 zNAND-T 代表吞吐量，采用 TSV 堆叠 NAND Die 并优化读写带宽；zNAND-I 象征 IOPS 的随机性能，强调少量数据频繁读写操作中的表现。