长鑫存储 4F² 架构研发取得关键进展，融合该技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品预计年底亮相

长鑫存储 4F² DRAM 架构研发取得关键进展，预计年底推出融合该技术及混合键合等先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。相较行业主流的 6F² 架构，4F² 架构可有效提升存储密度，长鑫在相关方向已公开超 300 件专利族。该首代产品定位 DDR5 RDIMM 将直面服务器内存领域的技术壁垒，目前具体规格信息与确切发布时间尚未提及。