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MemSilicon 完成国际首款高密度大容量 1T4R 1Gb RRAM 芯片泰山一号流片
MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片
AI 导读
铭芯启睿(MemSilicon)宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片泰山一号流片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺和 1T4R 结构,单芯片容量 1Gb,密度达到 30Mb/mm²,访问延时小于 20ns,并集成片上硬件纠错电路。
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