SK海力士公布3D FeNAND模拟存内计算研究成果
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SK海力士公布3D FeNAND模拟存内计算研究成果
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AI 综述
SK海力士公布了利用3D FeNAND技术实现模拟存内计算(A-CiM)的研究成果,相关论文已在IEEE发表。 该技术通过铁电材料的极化状态来存储数据并控制电流,能够在单个存储单元内产生多种电流状态,主要瞄准AI计算所需的权重数据。
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最新进展10月15日 19:05
SK 海力士推出 3D FeNAND 技术,瞄准 AI 计算报道时间线
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10月15日
- IT之家SK 海力士推出 3D FeNAND 技术,瞄准 AI 计算
SK 海力士公布了 3D FeNAND 实现模拟存内计算的研究成果。该技术利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流,可在单个存储单元内产生多种电流状态,适合 AI 计算所需的权重数据。
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