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中微公司全球首台Primo Domingo刻蚀设备付运

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AI 综述

中微公司已将全球首台 Primo Domingo 气相高选择性刻蚀设备付运至国内一家重要集成电路研发制造客户,进入客户端实际验证环节。 该设备针对 GAA 晶体管、3D NAND 和 3D DRAM 等下一代三维器件工艺开发,采用全对称腔体结构与优化流场设计,中微公司称其实验室验证实现了大于 700:1 的 SiGe / Si 选择比。

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10月22日
  1. IT之家
    中微公司 Primo Domingo 全球首台付运,面向 GAA 与 3D DRAM 高选择性刻蚀

    中微公司宣布其 Primo Domingo 气相高选择性刻蚀设备的全球首台机已付运国内一家重要集成电路研发制造客户,进入客户端实际验证环节。该设备针对 GAA 晶体管、3D NAND 和 3D DRAM 等下一代三维器件工艺开发,采用全对称腔体结构与优化流场设计,实验室验证实现了大于 700:1 的 SiGe / Si 选择比。

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