美光预告 G11 NAND 闪存：超 400 层堆叠，2027 年下半年产能爬坡

美光在 2026 年度技术网络研讨会上预告了预计 2027 年下半年产能爬坡的 G11 NAND 闪存。该闪存堆叠层数超过 400 层，应用晶圆对晶圆键合技术，存储密度达到现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍左右，I/O 速率提升至高 1.5 倍，数据传输能耗减少 25% 以上。