美光预告 G11 NAND 闪存
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美光预告 G11 NAND 闪存
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美光在 2026 年度技术网络研讨会上预告了 G11 NAND 闪存，预计将于 2027 年下半年产能爬坡。据美光预告，该闪存采用超过 400 层的堆叠设计并应用晶圆对晶圆键合技术，其存储密度达现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍左右，I/O 速率提升至高 1.5 倍，数据传输能耗减少 25% 以上。
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最新进展10月22日 10:05
美光预告 G11 NAND 闪存：超 400 层堆叠，2027 年下半年产能爬坡报道时间线
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10月22日
- IT之家美光预告 G11 NAND 闪存：超 400 层堆叠，2027 年下半年产能爬坡
美光在 2026 年度技术网络研讨会上预告了预计 2027 年下半年产能爬坡的 G11 NAND 闪存。该闪存堆叠层数超过 400 层，应用晶圆对晶圆键合技术，存储密度达到现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍左右，I/O 速率提升至高 1.5 倍，数据传输能耗减少 25% 以上。
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