ASML & 蔡司：未来 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战为更低的可用景深

ASML 与蔡司表示，数值孔径≥0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望在 10 年左右面世，可支持 5nm“半间距”的光学分辨率。该技术的主要挑战集中在更低的可用景深，需使用更薄的光刻胶并改进扫描设备的聚焦控制、晶圆平整与工艺控制。0.75 NA 光学系统仅略大于现有 High NA EUV 设备，配套掩膜基础和光源系统预计均可复用。