ASML与蔡司分析Hyper NA EUV光刻机前景与主要挑战

ASML与蔡司在一篇文章中表示，数值孔径大于等于0.75的Hyper NA EUV光刻机有望在10年左右面世，可支持5纳米“半间距”的光学分辨率。 两家公司指出，该技术的主要挑战在于更低的可用景深，需使用更薄的光刻胶并改进扫描设备的聚焦控制、晶圆平整与工艺控制。其0.75数值孔径的光学系统仅略大于现有High NA EUV设备，配套的掩膜基础和光源系统预计均可复用。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。