三星电子、SK 海力士升级中国工厂以生产更先进闪存芯片

三星电子与 SK 海力士正克服出口限制，升级其中国工厂以生产 200 层以上的 NAND 闪存芯片。三星电子计划将西安工厂改造为生产 286 层 V9 NAND 闪存芯片，目标在今年 12 月实现每月 5000 片晶圆产量，并在 2027 年 12 月将月产量提升至 4 万片；SK 海力士则计划将大连工厂的 NAND 产线升级为 240 层以上产品。