三星与SK海力士升级中国工厂生产先进闪存

三星电子与SK海力士正克服出口限制，升级其中国工厂以生产200层以上的NAND闪存芯片。 三星计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND芯片，目标在今年12月实现每月5000片晶圆产量，并在2027年12月提升至4万片；SK海力士则计划将大连工厂的NAND产线升级为240层以上产品。

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