美光认为 4F² DRAM 无可行扩展路径，规划 3D DRAM 与 1ε/ζÅ 等节点技术

美光在 2026 年度技术网络研讨会上表示，经过多年探索认为 4F² DRAM 缺乏可行扩展路径，未来将以 3D DRAM 作为发展方向。其第 7 代 10nm 级 1δ 节点已在良率爬坡阶段且带来约 25% 的密度提升，第 8 代 1ε 引入晶圆键合技术，亚 10nm 级的 ζÅ 节点将导入 High NA EUV 光刻，ηÅ 正在寻路新材料。