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美光放弃4F² DRAM转向3D路线并规划先进制程

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AI 综述

美光在2026年度技术网络研讨会上表示,经过多年探索认为4F² DRAM缺乏可行扩展路径,未来将以3D DRAM作为发展方向。 美光称,其第7代10nm级1δ节点已在良率爬坡阶段并带来约25%的密度提升,第8代1ε引入晶圆键合技术,亚10nm级的ζÅ节点将导入High NA EUV光刻,ηÅ正在寻路新材料。

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10月22日
  1. IT之家
    美光认为 4F² DRAM 无可行扩展路径,规划 3D DRAM 与 1ε/ζÅ 等节点技术

    美光在 2026 年度技术网络研讨会上表示,经过多年探索认为 4F² DRAM 缺乏可行扩展路径,未来将以 3D DRAM 作为发展方向。其第 7 代 10nm 级 1δ 节点已在良率爬坡阶段且带来约 25% 的密度提升,第 8 代 1ε 引入晶圆键合技术,亚 10nm 级的 ζÅ 节点将导入 High NA EUV 光刻,ηÅ 正在寻路新材料。

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