三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

三星电子将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM4E 架构的定制高带宽内存基底裸片，调整以往的一站式全包制造模式。英伟达提出这一要求是为了统一各家供应商的制造方案并减少验证工作量，而三星对标准 HBM 及其他客户仍将保留自研全包方案并保留备用预案。