三星将采用台积电3nm为英伟达生产HBM基底裸片

三星电子将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM4E 架构的定制高带宽内存基底裸片，打破以往的一站式全包制造模式。英伟达提出这一要求是为了统一各家供应商的制造方案并减少验证工作量。 三星对标准 HBM 产品及面向 AMD 等其他客户的定制 HBM，仍将保留自研全包生产策略并保留备用预案。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。