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佳能计划到2029年提升后端光刻机产能50%

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AI 综述

佳能计划到2029年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升50%。 IT之家报道称,该企业目前正在开发用于先进封装工艺的i线光刻设备,并已开发出分辨率达0.8μm的大尺寸基板光刻机台。

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10月21日
  1. IT之家
    消息称佳能计划到 2029 年将后端光刻机产能提升 50%

    佳能计划到 2029 年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升 50%。该企业目前正在开发用于先进封装工艺的 i 线光刻设备,并已开发出分辨率达 0.8μm 的大尺寸基板光刻机台。

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